講演情報
[8a-P08-2]Mg2Si基板への拡散深さに対するAg膜厚の影響
〇(M1)飯野 有紀1、武井 日出人1、勝俣 響1、古田 良輔1、坂根 駿也1、鵜殿 治彦1 (1.茨大工)
キーワード：
Mg2Si、SWIR、イメージセンサ
Ag薄膜を熱拡散させた際の拡散挙動を膜厚依存で評価した結果、Ag膜厚が20 nmと薄い場合、450℃および400℃で10分間の熱処理において拡散深さは約10 µmであり、100 nmの厚膜の場合と比べて大幅に浅い接合が形成された。これはAg供給量が拡散過程を律速し、濃度プロファイルが厚膜時とは異なる拡散挙動を示すことを示唆する。