[8p-N105-1~8] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

14:00 〜 14:15

[8p-N105-3] ミストCVDにおいて高品質なAlOx薄膜を350ºCで形成できる機構Ⅱ

〇川原村 敏幸¹、福江 雅¹、刘 丽¹、ダン タイ ジャン¹、伊藤 亮孝¹、藤村 俊伸² (1.高知工大、2.日油(株))

キーワード：

ミストCVD、酸化アルミウム、機構