[8p-N105-1~8] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

14:15 〜 14:30

[8p-N105-4] Mist-CVD法を用いた、酸化物半導体薄膜の作製とトランジスタ性能の向上2

〇江波戸 慶吾¹、清水 耕作¹ (1.日本大学)

キーワード：

Mist-CVD法

今回は、成膜後にO₃を噴霧した際のTFT特性とCPM法を用いてバルク内のバンドギャップ内準位について報告する。結果から不純物であるカルボキシル基のR-COOHがO₃により減少していることがわかりTFT特性ではON電流・移動度が改善された。成膜後O₃を噴霧することにより不純物を適切に除去した結果だと考える。CPM測定ではバンドギャップ内準位の欠陥も減少していることが確認でき、成膜後O₃を噴霧することで膜質が改善されることがわかった。