講演情報
[8p-N202-11]薄膜LiNbO3マッハツェンダ干渉計に向けたエッチング条件探索
〇永長 武留1、上向井 正裕1、谷川 智之1、片山 竜二1 (1.阪大院工)
キーワード：
マッハツェンダ干渉計、ニオブ酸リチウム、磁気中性線放電反応性イオンエッチング
薄膜LiNbO3（LN）は成膜技術の発展に伴い、光集積デバイスへの応用が注目されている。しかし、LNはその化学的安定性と硬度から難エッチング材料とされ、エッチングの際に副生成物が再堆積し導波路側壁が荒れる問題があり、低損失導波路形成技術の確立が重要である。本研究では低ダメージ加工に有利とされる磁気中性線放電反応性イオンエッチングを用い、Z-cutバルクLNのエッチング条件を探索したので報告する。