セッション詳細
[8p-N202-1~18]3.13 シリコンフォトニクス・光電融合集積・光制御
2025年9月8日(月) 13:30 〜 18:15
N202 (共通講義棟北)
北 翔太(NTT)、 高 磊(産総研)
[8p-N202-2]波長2 μmでの自己形成光導波路:シリコンフォトニクス自動光接続に向けた検討
〇(M2)柴 瑞輝1、寺澤 英孝2、近藤 圭祐1,2、杉原 興浩1,2 (1.宇大院、2.宇大工)
[8p-N202-4]ディップイン式レーザー3Dリソグラフィーを用いた高屈折率ポリマーによるフォトニックワイヤーボンディング
〇XIANG LIXIN1、岡田 祥2、西浦 克典3、四釜 拓生3、永松 周1、前川 永遠1、大塚 健祐3、雨宮 智宏1 (1.科学大工、2.情報通信研究機構、3.三井化学)
[8p-N202-5]SiN-rib InP membrane waveguide with a low-loss taper structure
〇Jinchi Pan1, Hiroya Sakumoto1, Tomohiro Akazawa1, Kasidit Toprasertpong1, Shinichi Takagi1, Mitsuru Takenaka1 (1.The Univ. of Tokyo)
[8p-N202-6]テーパ構造による高位置ずれ耐性を有する化合物半導体と誘電体・Si 導波路直接接合
〇岡山 秀彰1、高橋 博之1、小野 英輝1、志村 大輔1、谷川 兼一1、鈴木 貴人1、古田 裕典1、西山 伸彦2 (1.沖電気、2.東京科学大)
[8p-N202-7]Characteristics Comparison of Interlayer Couplers Between Silicon Oxynitride and Silicon Waveguide Layers
〇(D)Kaibin Yao1, Moataz Eissa1, Tsuyoshi Horikawa1, Nobuhiko Nishiyama1,2,3 (1.Science Tokyo Inst., 2.IIR, 3.PETRA)
[8p-N202-9]構造揺らぎに対し高いトレランスを有するEr添加CeO2スプリット導波路構造の設計
〇稲葉 智宏1、徐 学俊1、俵 毅彦2、尾身 博雄3、山本 秀樹1、眞田 治樹1 (1.NTT物性研、2.日大、3.大和大)
[8p-N202-10]Examination of selective quantum well intermixing on III-V on insulator wafer
〇(M2)Sheng Fu1, Kasidit Toprasertpong1, Shinichi Takagi1, Mitsuru Takenaka1 (1.Univ. Tokyo)
[8p-N202-12]Amorphous-Si Strip-Loaded Thin Film Lithium Niobate on Insulator Waveguides with Low Propagation Loss and Reduced Bending Radius
〇Moataz Eissa1, Yoshitaka Ohiso1, Kensuke Ogawa1, Yuki Nemoto2, Shoichiro Yamaguchi2, Masahiko Namerikawa2, Nobuhiko Nishiyama1 (1.Science Tokyo, 2.NGK Insulators)
[8p-N202-13]複屈折変調イメージング法によるμ-Transfer Printing集積 ニオブ酸リチウム薄膜の電気光学係数評価
〇村井 俊哉1、須波 圭史2、高 磊1 (1.産総研 光電融合センター、2.産総研 エレクトロニクス基盤技術研究部門)
[8p-N202-17]グレースケール露光を用いたレジストマスターモールドによるNILプロセス
〇永松 周1、前川 永遠1、向 立昕1、李 周姸2、大塚 健祐2、宮尾 宙2、飯田 健二2、雨宮 智宏1 (1.科学大工、2.三井化学)
[8p-N202-18]OFDR法を用いたウェーハレベル光集積デバイス特性検査(2)
‐透過及び反射プロファイルに見られる導波路多重反射の定式化‐
〇堀川 剛1、西山 伸彦1,2 (1.東京科学大、2.PETRA)