講演情報
[8p-N204-16]Cs4PbBr6への電子線照射によるCsPbBr3ナノ光源自在配置
〇(M2)藤丸 朋泰1、平井 寛大2、稲又 雅人1、田中 宏武1、池内 みどり3、山下 英博3、井原 史朗3、村山 光宏3,4、斉藤 光3 (1.九大総理工、2.九大工、3.九大先導研、4.バージニア工科大)
キーワード：
ナノ光源、電子線描画、ハライドペロブスカイト
Cs4PbBr6-CsBr複合膜に1 nA以上の大電流電子線照射によって、ナノ光源を自在配置した。さらに、194 pAの低電流電子線によってCL分光計測を実施し、強照射領域に生じた変化を解析した。7×7の正方格子状に、一点あたり10秒間、強照射した。低電流条件で同視野のCL強度マップを取得したところ、正方格子状にナノ光源が生成されたことが明瞭に確認された。一方で、強照射箇所が光源化していない箇所も観察され、光源化率は45%であることがわかった。