講演情報
[8p-N206-5]結合交差導波路構造を用いたInP系薄膜レーザとSi導波路の光結合
〇(D)前田 圭穂1,2、吉見 拓展1、立崎 裕真1、松尾 慎治2、太田 泰友1 (1.慶応理工、2.日本電信電話)
キーワード：
レーザ、シリコンフォトニクス、導波路
柔軟かつ高品質な異種材料集積を可能にする転写プリント法では、転写時に位置ずれを伴うことが多く、高い位置ずれ耐性を有する光結合構造の活用が求められる。先行研究では、実効屈折率が同じ１対の直線導波路を特定の角度で立体交差させた、高い位置ずれ耐性を有する方向性結合器が論じられているが、実験的な実証はあまり進んでいない。今回、我々は転写プリント法を用いてInP系薄膜レーザをSi導波路上に転写することで交差導波路構造を作製した。その結果、レーザ出射光のSi導波路への光結合を観測することに成功したので、これを報告する。