講演情報
[8p-N301-17]VCSEL共振波長の面内均一化に向けた成長条件の検討
〇北村 太希1、荒川 将輝1、柴原 直暉1、禿子 温教1、竹内 哲也1、岩谷 素顕1、上山 智1 (1.名城大理工)
キーワード：
GaN VCSEL、窒化物半導体
近年、GaN 面発光レーザー（VCSEL）の研究開発が進められており、高効率化やアレイ化の 展開が期待されている。特にアレイ化に向けて、素子特性の均一化が求められる。これを妨げる 要因の一つに、VCSEL共振器の共振波長の面内不均一が挙げられる。我々のGaN VCSELでは、 基板外周 16 mmから中心に向けて共振波長が徐々に長くなり、3 mm付近までに約 1.5％の増加 が見られた。これにより、ミラー損失が3倍以上に増加すると見積もられ、実際、素子特性が大 きく変化している。本研究では、共振波長の面内均一性の改善を目的に、共振器の7割を形成す るn-GaNの成長条件、特に成長圧力に着目して検討を行った。