2025年第86回応用物理学会秋季学術講演会
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14:00 〜 14:15
[8p-N301-3]
下地GaNナノコラムの高さがGaInN選択成長へ与える影響
〇加藤木 巧斗
1
、進藤 隆太
1
、梅本 匠
1
、山口 智広
1
、本田 徹
1
、尾沼 猛儀
1
、富樫 理恵
2
、岸野 克巳
2
(1.工学院大学、2.上智大学)
キーワード：
InGaN
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