[8p-N302-1~20] 17.3 層状物質

17:30 〜 17:45奨励賞エントリー

[8p-N302-16] シリコンナノ共振器による単層WS₂の第二次高調波発生の増強

〇呉 柊斗^1,2、篠北 啓介^1,2、Karimi Mojtaba³、杉本 泰³、藤井 稔³、松田 一成⁴ (1.分子研、2.総研大、3.神戸大院工、4.京大エネ研)

キーワード：

二次元半導体、第二次高調波発生、Mie共鳴

単層遷移金属ダイカルコゲナイド（TMD）の微弱な第二次高調波発生（SHG）を増強するため、Mie共鳴を示すシリコン（Si）ナノ粒子を組み合わせた系を構築した。Siナノ粒子を配置した試料では、共鳴波長でSHG強度が顕著に増強されることを観測した。講演では、円偏光照射下でのSHG測定の結果を交え、Mie共鳴が単層TMDのバレー選択性に由来する円偏光特性に与える影響についても議論する。