[8p-N302-1~20] 17.3 層状物質

14:45 〜 15:00

[8p-N302-6] CVD単層MoS₂/Al₂O₃ MOSキャパシタにおけるC-V特性の電極依存性に関する研究

〇(M1)中村 志穂¹、青木 伸之¹、柯 梦南² (1.千葉大、2.横浜国立大)

キーワード：

半導体、遷移金属ダイカルコゲナイド、金属-酸化膜-半導体キャパシタ