[8p-N303-1~16] 10.2 スピン基盤技術・萌芽的デバイス技術

16:30 〜 16:45

[8p-N303-12] リン添加白金を利用した低消費電力スピン軌道トルク磁化反転

〇新宅 千輝¹、マシュー アルン ジャコブ¹、岩本 輝久¹、モハマディ モジタバ²、粟野 博之²、浅田 裕法³、福間 康裕¹ (1.九州工業大、2.豊田工業大、3.山口大)

キーワード：

SOT-MRAM、スピン軌道トルク、スピンホール効果

リンイオン注入でスピンホール角θ_SHE を増強した白金薄膜 Pt(P) を用い、Gd₂₆Fe₇₄ 薄膜のスピン軌道トルク (SOT) 磁化反転を評価した。照射量 5×10¹⁶ と 10×10¹⁶ ions/cm で θ_SHE は 0.19→0.43 へ向上。面内磁場 50 mT 下、パルス幅 500 µs–500 ns で臨界電流密度 J_sw が 75 % 低減、熱安定性 Δ≈60 を維持した。