講演情報
[8p-N306-6]有機・金属界面電子準位接続に無機半導体理論は適用できるか？
古川 侑生1、〇吉田 弘幸1,2 (1.千葉大院工、2.千葉大MCRC)
キーワード：
界面電子準位接続、ショットキーモデル
本研究では、有機半導体PTCDAと金属表面との界面電子準位をケルビンプローブ法により膜厚3500 nmまで測定し、ショットキーモデルの適用性を検討した。バンドは緩やかに曲がり、膜厚約1500 nmでフェルミ準位がHOMOとLUMOの中間に位置し、真性半導体的振る舞いを示した。この結果は、空乏層幅がマイクロメートル程度のショットキーモデルで良く説明できる。一方、100 nm以下の薄膜領域についても、このモデルを拡張することが妥当であることも示された。