講演情報
[8p-N321-17]SiO2/Al2O3多層膜を用いたダイヤモンドMOS構造の形成(3)
〇(M1C)齋藤 泰地1、中川 龍一1、吉本 翼1、松本 翼2、徳田 規夫2、川江 健1 (1.金沢大理工、2.金沢大ナノマリ研)
キーワード：
ダイヤモンド、MOS構造
OH終端ダイヤモンド上にALDで堆積したAl2O3ゲート絶縁膜を用いたMOS構造は、界面準位の抑制とデバイス性能向上に寄与することが知られている。一方、より安定したFET動作には、Al2O3より広いバンドギャップを持つSiO2の適用が望ましい。そこで我々は、極薄Al2O3をバリア層としたSiO2/Al2O3二層ゲート絶縁膜の形成を提案してきた。本研究では、動作電圧の低減を目的に、Al2O3のさらなる薄膜化を目指した積層構造の形成条件を検討した。