2025年第86回応用物理学会秋季学術講演会
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セッション詳細

一般セッション(口頭講演)6 薄膜・表面：6.2 カーボン系薄膜

[8p-N321-1~19]6.2 カーボン系薄膜

2025年9月8日(月) 13:30 〜 18:45
N321 (共通講義棟北)
13:30 〜 13:45奨励賞エントリー

[8p-N321-1]13.56MHz誘導結合プラズマCVDによる超微粒ダイヤモンドの低温成長

〇安藤 瞭汰1、長町 学1、辰巳 夏生1 (1.住友電工)
13:45 〜 14:00英語発表

[8p-N321-2]Parasitic deposition in microwave plasma chemical vapor deposition

〇David VazquezCortes1, Stoffel D. Janssens1, Eliot Fried1 (1.OIST)
14:00 〜 14:15

[8p-N321-3]915MHzマイクロ波プラズマCVDを用いた大面積ウェハ作製

〇山田 英明1、茶谷原 昭義1、新田 魁洲1、嶋岡 毅紘1、高橋 有希子2、赤羽 優子2 (1.産総研、2.ＴＤＣ)
14:15 〜 14:30奨励賞エントリー

[8p-N321-4]Ir/sapphire基板上ヘテロエピタキシャルダイヤモンドにおける二段階成長プロセスの検討

〇望月 梧生1、毎田 修1、金 聖祐2、アン ジェフリ2、市川 修平1、小島 一信1 (1.阪大院工、2.Orbray(株))
14:30 〜 14:45奨励賞エントリー

[8p-N321-5]大口径ダイヤモンド成長用Ir/サファイア基板の基板微傾斜によるIr膜高品質化のメカニズムの解明

〇(D)辻 政裕1、江口 正徳2、サハ ニロイ チャンドラ1、嘉数 誠1,3 (1.佐賀大院理工、2.佐賀大シンクロトロン、3.(株)ダイヤモンドセミコンダクター)
15:00 〜 15:15

[8p-N321-6][第58回講演奨励賞受賞記念講演] 超低損失MOSFET実現に資するダイヤモンドトレンチ{111}平坦側面の形成

〇長井 雅嗣1、松本 翼2、山崎 聡2、徳田 規夫2、春山 盛善1、加藤 有香子1、吉岡 裕典1、梅沢 仁1、加藤 宙光1、小倉 政彦1、竹内 大輔1、宮本 良之1、牧野 俊晴1 (1.産総研、2.金沢大)
15:15 〜 15:30奨励賞エントリー

[8p-N321-7]狭ギャップマイクロ波プラズマCVDで形成したナノプレートダイヤモンドに対するポストアニールの効果

〇樋口 瑠洸1、酒井 佑真1、市川 達也1、垣内 弘章1、大参 宏昌1 (1.阪大院工)
15:30 〜 15:45奨励賞エントリー

[8p-N321-8]同軸型アークプラズマ成膜法を用いたダイヤモンド粉末への窒素ドープダイヤモンド被膜による導電性付与とその応用

〇(M2C)渡辺 観侃1、御園 樹1、楢木野 宏1、城石 英伸2、吉武 剛1 (1.九大院総理工、2.東京高専)
15:45 〜 16:00奨励賞エントリー

[8p-N321-9]高温電気化学測定におけるホウ素ドープダイヤモンド電極の参照電極としての有用性

〇井口 誠大1、稲葉 優文1、大曲 新矢2、楢木野 宏1、中野 道彦1、末廣 純也1 (1.九州大、2.産総研)
16:00 〜 16:15奨励賞エントリー

[8p-N321-10]チタン製医療機器への応用を目指したナノダイヤモンド膜に対するプラズマ処理による濡れ性制御

〇生山 也真登1、楢木野 宏1、御園 樹1、楼 厲寧1、A.Z. Ahmed1、竹市 悟志2、吉武 剛1 (1.九大院総理工、2.佐世保高専)
16:15 〜 16:30英語発表

[8p-N321-11]Developing nickel-catalyzed graphene/diamond heterostructures for MEMS applications

〇(P)Guo Chen1, Wen Zhao1, Zhaozong Zhang1, Satoshi KOIZUMI1, Meiyong Liao1 (1.NIMS)
16:45 〜 17:00

[8p-N321-12]熱フィラメントCVD法により成長したホモエピタキシャルダイヤモンド膜中の応力

〇市川 公善1、小林 和樹1、松本 翼1、林 寛1、猪熊 孝夫1、山崎 聡1、徳田 規夫1 (1.金沢大)
17:00 〜 17:15

[8p-N321-13]水素濃度が異なるリンドープn型ダイヤモンド膜のカソードルミネッセンスの比較

〇片宗 優貴1,2、井下 智史1,2、和泉 亮2、寺地 徳之1、渡邊 賢司1、小泉 聡1 (1.物材機構、2.九州工大)
17:15 〜 17:30奨励賞エントリー

[8p-N321-14]tert-butylphosphineを用いたn型ダイヤモンドの電子移動度評価

〇中川 大夢1、川瀬 凛久1、川島 宏幸1、森岡 直也1,4、加藤 宙光2、徳田 規夫3、山崎 聡3、小倉 政彦2、牧野 俊晴2、水落 憲和1,4 (1.京大化研、2.産総研、3.金沢大、4.京大CSRN)
17:30 〜 17:45

[8p-N321-15]高濃度Bイオン注入ダイヤモンドの結晶性と電気特性に対する注入時基板温度の影響

〇星野 靖1、今村 海哉1、関 裕平1,2 (1.神奈川大理、2.北大院工)
17:45 〜 18:00

[8p-N321-16]ダイヤモンドへの高濃度Nイオン注入による低抵抗層形成

〇(M2)今村 海哉1、関 裕平1,2、星野 靖1 (1.神奈川大理、2.北大院工)
18:00 〜 18:15

[8p-N321-17]SiO2/Al2O3多層膜を用いたダイヤモンドMOS構造の形成(3)

〇(M1C)齋藤 泰地1、中川 龍一1、吉本 翼1、松本 翼2、徳田 規夫2、川江 健1 (1.金沢大理工、2.金沢大ナノマリ研)
18:15 〜 18:30奨励賞エントリー

[8p-N321-18]窒素ドープ層を用いた縦型2DHGダイヤモンドMOSFETの高耐圧化

〇(D)吉田 稜1,2、大井 信敬1、渡邉 晃彦3、大村 一郎3、植田 研二2、川原田 洋1、藤嶌 辰也1 (1.Power Diamond Systems、2.早大、3.九工大)
18:30 〜 18:45

[8p-N321-19]Py/Al2O3/p型ダイヤモンドMOS構造におけるトンネル輸送

〇河野 慎1、パーク イアン1、谷保 芳孝1、平間 一行1 (1.NTT物性研)
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