講演情報
[8p-N321-8]同軸型アークプラズマ成膜法を用いたダイヤモンド粉末への窒素ドープダイヤモンド被膜による導電性付与とその応用
〇(M2C)渡辺 観侃1、御園 樹1、楢木野 宏1、城石 英伸2、吉武 剛1 (1.九大院総理工、2.東京高専)
キーワード：
ナノダイヤモンド、窒素ドープ、導電性ダイヤモンド粉末
同軸型アークプラズマ成膜法用いて絶縁性ダイヤモンド粉末の表面にナノダイヤモンド（quenched-produced diamond: Q-dia）層を成膜した導電性ダイヤモンド粉末を作製した。加えて、作製温度の変化、Q-dia層への窒素ドープにより、導電性ダイヤモンド粉末の導電性向上を目指し、その応用可能性についても検討した。