講演情報
[8p-N322-10]リセスゲート構造によるN極性GaN HEMTの電流コラプス抑制
〇早坂 明泰1、吉田 成輝1、矢板 潤也1、向井 章1、小谷 淳二1、牧山 剛三1、中田 健1 (1.住友電工)
キーワード：
N極性GaN、高電子移動度トランジスタ (HEMT)、リセスゲート構造
GaN HEMTは無線通信向けの高周波パワーデバイスとして広く使用されており、5.5Gや6Gに向け 特性向上が求められている。しかし、Ga極性GaN HEMTは短ゲート構造において電子がバッファ側に回り込みリーク電流が増加する課題がある。そこでバックバリア により電子の回り込みを抑制できるN極性GaN HEMTが注目されている。しかし、N極性GaN HEMTはGa極性GaN HEMTと比べ 、結晶表面がダメージを受けやすく界面準位が形成されやすい、また、チャネルが表面側に位置するため絶縁膜半導体界面に電子が到達しやすいなどの理由により、電流コラプスが課題である。そこで本研究では、電流コラプスの抑制が期待されるリセス ゲートを有するN極性GaN HEMTを作製し、リセスゲートと電流コラプスの関係を調査した。