セッション詳細
[8p-N322-1~17]13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価
2025年9月8日(月) 13:30 〜 18:30
N322 (共通講義棟北)
[8p-N322-1][Fellow International 2025 Special Lecture] Unlocking the Potential of GaN Power Integration
〇Kevin Jing Chen1 (1.The Hong Kong University of Science and Technology)
[8p-N322-2]GaN-HEMTスイッチング回路におけるリンギングノイズ低減手法
〇井手 利英1、後藤 高寛1、鍛冶 良作1、古屋 克己1、山田 永1 (1.産総研)
[8p-N322-3]I-V, C-V測定から求めたAlNショットキーバリアダイオードの障壁高さの温度依存性
〇佐々木 一晴1、廣⽊ 正伸2、熊倉 ⼀英2、平間 ⼀⾏2、⾕保 芳孝2、前田 拓也1 (1.東大工、2.NTT物性研)
[8p-N322-4]GaN HEMTの低周波Y21とY22信号に対する実験とデバイスシミュレーション結果の比較
〇大石 敏之1、高田 栞1、久樂 顕2、山口 裕太郎2、新庄 真太郎2、山中 宏治2 (1.佐賀大、2.三菱電機)
[8p-N322-5]AlGaN/GaNヘテロ構造のCL-PECエッチングと自己停止現象
〇塩澤 直生1、勝又 十勝1、岡野 陽樹1、佐藤 威友1 (1.北大量集センター)
[8p-N322-6]GaN Polarization Superjunction FETの電荷バランス評価に向けたC-V特性によるエッチング後u-GaN表面伝導層の評価
〇(D)小久保 瑛斗1、渡邉 浩崇2、出来 真斗3、田中 敦之2、本田 善央2,3,4、天野 浩2,3,4 (1.名大院工、2.名大IMaSS、3.名大Dセンター、4.名大高等研究院)
[8p-N322-7]高濃度Mg添加AlN層の高温下での電気特性評価
〇(M2)宮沢 風我1、奥村 宏典1、井村 将隆2 (1.筑波大数理、2.物材研)
[8p-N322-8]サファイア基板上N極y製GaN HEMTにおけるゲートリークの抑制
〇吉屋 佑樹1、星 拓也1、佐々木 太郎1、杉山 弘樹1、中島 史人1 (1.NTT先端集積デバイス研)
[8p-N322-9]汎用機械学習ポテンシャルを用いたN極性GaN HEMTの熱輸送特性の解析
〇吉田 成輝1、山村 拓嗣1、小谷 淳二1、牧山 剛三1、中田 健1 (1.住友電工)
[8p-N322-10]リセスゲート構造によるN極性GaN HEMTの電流コラプス抑制
〇早坂 明泰1、吉田 成輝1、矢板 潤也1、向井 章1、小谷 淳二1、牧山 剛三1、中田 健1 (1.住友電工)
[8p-N322-11]N極GaN HEMTにおけるドレイン電流変動に対する影響
〇矢板 潤也1、吉田 成輝1、早坂 明泰1、向井 章1、今関 祐貴1、小谷 淳二1、牧山 剛三1、中田 健1 (1.住友電工)
[8p-N322-12]ScAlN/AlGaN/AlN/GaNヘテロ構造における2DEGのShubnikov-de Haas振動
〇若本 裕介1、久保田 航瑛1、河原 孝彦2、吉田 成輝2、牧山 剛三2、中田 健2、小林 篤3、前田 拓也1 (1.東大工、2.住友電気工業株式会社、3.東京理科大学)
[8p-N322-13]PA-MBE成長ScAlN/GaNへテロ接合における二次元電子ガスの輸送特性
〇久保田 航瑛1、若本 裕介1、河原 孝彦2、吉田 成輝2、牧山 剛三2、中田 健2、中根 了昌1、前田 拓也1 (1.東大工、2.住友電工)
[8p-N322-14]GaN/sapphire基板上スパッタ成長ScAlN薄膜の電気的特性
〇城谷 光亮1、佐藤 早和紀2、小林 篤2、前田 拓也1 (1.東大工、2.東京理科大)
[8p-N322-15]AlGaN/GaNヘテロ構造に対する完全リセスオーミック接触抵抗のモデル解析
〇瓜生 和也1,2、Choi Junewoo2、Deng Yuchen2、鈴木 寿一2 (1.アドバンテスト、2.北陸先端大)
[8p-N322-16]AlGaN/GaNヘテロ界面でのAlNインタ層の効果 ―歪誘起欠陥形成の抑制による2DEG移動度の向上―
〇角谷 正友1、中野 由崇2、今中 康貴1 (1.物材機構、2.中部大)
[8p-N322-17]InAlGaN HEMTにおけるゲートリーク電流に対するInの影響
〇山田 敦史1、多木 俊裕1 (1.富士通)