講演情報
[8p-N322-2]GaN-HEMTスイッチング回路におけるリンギングノイズ低減手法
〇井手 利英1、後藤 高寛1、鍛冶 良作1、古屋 克己1、山田 永1 (1.産総研)
キーワード：
GaN、スイッチング、リンギング
窒化物半導体を用いたGaN-HEMTは、ターンオン/オフ時間が短くスイッチング損失が低いため、スイッチング周波数を従来のkHzを超えてMHzまで上昇させることが可能である。しかし、電圧・電流波形の時間変化が速いということはリンギングノイズの増大につながる。リンギングノイズが大きくなると素子耐圧を超えたスパイク電圧を発生させ、素子破壊につながる懸念もある。本研究ではGaN-HEMTスイッチング回路においてリンギングノイズを容量を付与するのみの簡便な手法で抑制することが出来たので報告する。