講演情報
[8p-N405-13]アモルファスSiにおける高次高調波発生の第一原理計算
〇(D)具志堅 英雄1、乙部 智仁1,2、加藤 洋生1、Hashmi Arqum1、谷 水城1,2、山田 俊介2、石川 顕一1 (1.東大院工、2.QST関西研)
キーワード：
高次高調波発生、時間依存密度汎関数理論、TDDFT、アモルファスシリコン
アモルファスSiの高次高調波発生(HHG)を、時間依存密度汎関数理論に基づくオープンソース計算プログラムSALMONを用いて調べた。構造乱れは電子のコヒーレンス時間を短縮し、HHG強度を低下させる。一方、スペクトル形状は短距離秩序を反映し単結晶Siと類似の傾向を示すが、長距離秩序の欠如でプラトー構造に差異が生じることがわかった。