講演情報
[8p-P01-42]WO₃/C₃N₅ 界面におけるS-スキーム電荷移動のDFT計算解析
〇米山 周賛1、伊藤 皇聖1、Paul Fons1、野田 啓1 (1.慶應大・理工)
キーワード：
光触媒、DFT
酸化タングステン（WO3）と、ポリマー半導体の一つである窒素豊富な層状窒化炭素（C3N5）の複合光触媒における水素生成の高効率化について、その要因の一つとしてS-スキーム型の電荷分離機構が報告されている。密度汎関数理論（DFT）を用いたWO₃/C₃N₅ 界面の構造最適化および界面形成に伴う電荷移動の理論解析を行い、S-スキーム電荷移動の可能性を理論計算の観点から調査を行った。