講演情報
[8p-P02-1]Si(111)表面上に形成した単原子金属層の低温・磁場中での走査トンネルポテンショメトリー測定
〇浜田 雅之1、土師 将裕1、岡崎 淳哉1、佐藤 優大2、長谷川 幸雄1 (1.東大物性研、2.ライデン大物理)
キーワード：
走査トンネルポテンショメトリー、表面電位測定、表面電気伝導測定
走査トンネルポテンショメトリー(STP)は、試料表面に電流が流れている状態での電位分布を極めて高い電位・空間分解能で描き出す手法である。我々は、量子現象が表面電気伝導に現れると期待される低温で動作する低温STPを開発し、Si基板上に1ML程度のPb薄膜を形成した清浄表面で、低温・磁場中での測定を行った結果、ホール効果を示唆するような電流方向に垂直な電位勾配があることが分かった。