講演情報
[8p-P03-4]極薄電荷捕獲層利用に向けた SAM 膜を用いたフッ化グラフェン上への ALD による Al2O3膜形成
〇眞下 航平1、桐原 芳治1、川合 遼一1、浪川 滉1、西原 達平2、三谷 祐一郎1、石川 亮佑1、野平 博司1 (1.東京都市大、2.高輝度光科学センター)
キーワード：
グラフェン、SAM膜、ALD
二次元層状材料のグラフェン(Gr)にフッ化処理を行うと、導体膜から絶縁膜へと変化する。これを利用して、フッ化グラフェン(FGr)を電荷捕獲層とした不揮発性メモリが提案され性 能実証されている。しかし、FGrにはダングリングボンドが存在しないため、原子層堆積法 (ALD)で堆積した Al2O3膜の不均一性が問題となっている。最近、Gr上にTCNQの単分子膜を形成することで、均一なALD-Al2O3膜の堆積が可能であることが明らかになった。そこで我々は、FGr上にTCNQの単分子膜を塗布することで、均一な ALD-Al2O3膜の堆積が可能と考えた。本研究では、FGr を電荷捕獲層とした不揮発性メモリの動作の再現に向け、 MOS 構造デバイスを作製し、①原子間力顕微鏡(AFM)による表面粗さ評価、②C-V 測定による動作実証、③電圧印加 HAXPES によるオペランド測定を行った。