セッション詳細
[8p-P03-1~4]13.3 絶縁膜技術
2025年9月8日(月) 13:30 〜 15:30
P03 (体育館)
[8p-P03-1]SiNx膜とSiOx膜中の水素ボンドの切断エネルギー
〇奥 友希1、戸塚 正裕1、佐々木 肇1 (1.三菱電機)
[8p-P03-2]Si MOS キャパシタにおける伝導帯端近傍の界面準位密度分布が C-V 特性に与える影響
〇松原 滉英1、加藤 匠馬1、鈴木 陽向1、牧原 克典2、一野 祐亮1、清家 善之1、森 竜雄1、田岡 紀之1 (1.愛知工大、2.名大院工)
[8p-P03-3]Si基板上に後酸化によって形成したHf酸化膜の電気的特性
〇茅木 陸1、酒向 希斗1、高須 直也1、牧原 克典2、一野 祐亮1、清家 義之1、森 竜雄1、田岡 紀之1 (1.愛知工大、2.名大院工)
[8p-P03-4]極薄電荷捕獲層利用に向けた SAM 膜を用いたフッ化グラフェン上への ALD による Al2O3膜形成
〇眞下 航平1、桐原 芳治1、川合 遼一1、浪川 滉1、西原 達平2、三谷 祐一郎1、石川 亮佑1、野平 博司1 (1.東京都市大、2.高輝度光科学センター)