[8p-P04-1~9] 13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス

[8p-P04-3] 面内超高密度量子ドットにおける強結合遷移モデル(2)

〇甲斐 涼雅¹、海津 利行^2,1、宮下 直也^1,2、山口 浩一^1,2 (1.電通大基盤理工、2.電通大量子デバイスセンター)

キーワード：

MBE、量子ドット、InAs