セッション詳細
[8p-P04-1~9]13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス
2025年9月8日(月) 13:30 〜 15:30
P04 (体育館)
[8p-P04-1]GaNAs量子井戸とトンネル結合したInGaAs量子ドットの円偏光発光特性に対する電子の結合エネルギー準位の影響
〇鈴木 悠馬1、木瀬 寛都2、森田 彩乃2、高山 純一2、村山 明宏2、樋浦 諭志2 (1.北大工、2.北大院情報科学)
[8p-P04-2]Spin-optic modeling of InAs/GaAs QDs assembled by Stacked SML growth
〇Ronel Intal Roca1, Itaru Kamiya1 (1.Toyota Tech. Inst.)
[8p-P04-3]面内超高密度量子ドットにおける強結合遷移モデル(2)
〇甲斐 涼雅1、海津 利行2,1、宮下 直也1,2、山口 浩一1,2 (1.電通大基盤理工、2.電通大量子デバイスセンター)
[8p-P04-4]SiドープInAs面内超高密度量子ドット層の光電子物性
〇成子 慶洋1、海津 利行2,1、宮下 直也1,2、山口 浩一1,2 (1.電気通信大 基盤理工、2.電気通信大 量子未来創生デバイス開発センター)
[8p-P04-5]CaF2埋め込み構造を用いたn型Si/CaF2二重障壁共鳴トンネルダイオードの室温微分負性抵抗特性
〇小林 隆弘1、宇佐見 遼也1、村上 寛太1、服部 堅1、渡辺 正裕1 (1.東京科学大電気電子系)
[8p-P04-6]反応性イオンエッチングによる微小孔中に形成したSi/CaF2 n型二重障壁共鳴トンネルダイオードの室温微分負性抵抗特性
〇猪狩 秀1、小林 隆弘1、服部 堅1、渡辺 正裕1 (1.東京科学大工)