[8p-P04-1~9] 13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス

[8p-P04-6] 反応性イオンエッチングによる微小孔中に形成したSi/CaF₂ n型二重障壁共鳴トンネルダイオードの室温微分負性抵抗特性

〇猪狩 秀¹、小林 隆弘¹、服部 堅¹、渡辺 正裕¹ (1.東京科学大工)

キーワード：

量子効果デバイス、共鳴トンネルダイオード

Si/CaF₂ヘテロ構造は結晶構造の類似と格子定数の近さからSi基板上にエピタキシャル成長可能で、界面に1-2eVの伝導帯不連続を持つ。先行研究では室温でMA/cm²級の電流密度と高PVCRのRTDを実証した。従来のフッ酸ウェットエッチングは孔制御に課題があり、微細化には高精度な反応性イオンエッチングが重要となる。本研究では結晶成長領域の微小孔形成に反応性イオンエッチングを適用してSi/CaF₂ DBRTDを形成し、IV特性を評価した。