セッション詳細

[8p-P05-1~14]13.9 化合物太陽電池

2025年9月8日(月) 13:30 〜 15:30
P05 (体育館)

[8p-P05-1]次世代宇宙用太陽光発電デバイスの研究開発拠点

〇渡辺 健太郎1、菅谷 武芳2、西岡 賢祐3、高本 達也3、山口 洋司4、大瀬 貴之5、古川 晶一6、岡田 至崇1、秋山 英文1、杉山 正和1 (1.東大、2.産総研、3.宮崎大、4.SESJ、5.NECSpace、6.タカノ)

[8p-P05-2]Ⅲ-Ⅴ化合物半導体多接合太陽電池用のフォトルミネセンス同時スキャン技術とインライン検査

〇古川 晶一1、樗木 悠亮2、宮下 直也3、岡田 至崇2 (1.タカノ、2.東大先端研、3.電通大基盤理工)

[8p-P05-3]HVPE 法で作製された 6 インチ InGaP 太陽電池の面内均一性評価

〇(M2)近藤 圭悟1、大島 隆治2、清水 裕大3、生方 映徳3、徳永 裕樹3、菅谷 武芳2、岡野 好伸1 (1.東京都市大、2.産総研、3.大陽日酸)

[8p-P05-4]完全濡れIn融液膜を前駆体としたポリイミド基板上へのInP薄膜の直接形成

〇勝部 涼司1、松永 太陽1、宇佐美 徳隆1,2,3 (1.名大院工、2.名大未来研、3.名大未来機構)

[8p-P05-5]BiVO4 光電極上の NiFeOx 助触媒によるオンセットポテンシャルの制御

〇(M1)朝倉 翔也1、佐藤 勇汰1、リンガ オクタリザ1、櫻井 岳暁1、吉野 賢二2、吉山 功一2、東 智弘2 (1.筑波大、2.宮崎大)

[8p-P05-6]大気開放型CVD法により作製したCdZnSバッファ層のフォトルミネッセンス測定

〇松井 隼人1、栗本 祐司1、岡本 保1、金井 綾香2、田中 久仁彦2 (1.木更津高専、2.長岡技術科学大学)

[8p-P05-7]三源系ファインチャネルミストCVD法によるCu2Sn1-xGexS3薄膜の作製における原料溶液の濃度検討

〇中島 和輝1、松下 知樹1、金井 綾香1、田中 久仁彦1 (1.長岡技科大)

[8p-P05-8]Photoluminescence observation of Na-doped Cu2Sn1-xGexS3 thin film solar cells

〇Ryodai Ichihara1, Takeshi Tasaki2, Ayaka Kanai1, Hideaki Araki2, Kunihiko Tanaka1 (1.Nagaoka Univ. of Tech., 2.NIT (KOSEN), Nagaoka Coll.)

[8p-P05-9]硫化処理後の冷却速度がSnS薄膜の異相に与える影響

〇小郷 和嗣1、笠 春輝1、⼟⼭ 岳⽃1、杉⼭ 睦1,2 (1.東理大 創域理工、2.東理大 総研)

[8p-P05-10]Cu(In,Ga)Se2光電極表面のバンド制御がCO2還元中の光電流に与える影響

〇高田 竜之介1、奥山 信太郎1、岡田 一真1、植田 かな1,3、杉山 睦1,2 (1.東理大 創域理工、2.東理大 総研、3.学振特別研究員DC)

[8p-P05-11]電気測定による半導体/水溶液界面の電子–水素イオン相互作用観測に向けた検討

〇植田 かな1,3、杉山 睦1,2 (1.東理大 創域理工、2.東理大 総研、3.学振特別研究員DC)

[8p-P05-12]Cu(In,Ga)S2太陽電池のバッファ層応用を目指したZnGeOの開発

〇小林 広夢1、鈴木 陽太1、西村 昂人1、山田 明1 (1.東京科学大)

[8p-P05-13]硫化水素熱処理で作製されたAg過剰Ag8SnS6薄膜のAg/Sn比の影響

〇赤木 洋二1、内村 友宏2、中村 重之3、荒木 秀明4 (1.都城高専、2.東北大、3.津山高専、4.長岡高専)

[8p-P05-14]シード層・ナノロッドアニール工程検討によるZnO/CuBr1-xIx微細構造透明太陽電池の性能改善

〇落合 航也1、工藤 心暖1、行長 虎太郎1、金井 綾香1、田中 久仁彦1 (1.長岡技科大)