[8p-P09-1~6] 6.1 強誘電体薄膜

[8p-P09-1] Smドープ量がBiFeO₃薄膜の局所原子構造に及ぼす影響Ⅱ

〇(M2)川上 真梨花¹、中嶋 誠二¹、岡﨑 海馬¹、木村 耕治²、八方 直久³、麻生 亮太郎⁴、田尻 寛男⁵、大坂 藍¹、林 好一²、藤沢 浩訓¹ (1.兵庫県大工、2.名工大工、3.広島市大情報、4.九州大工、5.高輝度光科学研究センター)

キーワード：

ビスマスフェライト、圧電性、局所原子構造

SmドープBiFeO₃(BSFO)はドープ量14 at%付近で組成相境界(MPB：Morphotropic phase boundary)が存在し、高い圧電性を示すことが知られている。このときMPBにおいて菱面体晶系から直方晶系へ相転移することが知られているが、その構造は複数の報告がある。特に薄膜では結晶構造の同定が困難であることから、不明な点が多く、中でも圧電デバイス応用に重要な膜厚1 µm程度における報告はほとんどない。そこで本研究では、X線逆格子空間マッピング(XRD-RSM)、蛍光X線ホログラフィー(XFH : X-ray Fluorescence Holography)および走査型透過電子顕微鏡(STEM)を用いて、Smドープ量の異なる膜厚800 nm～1000 nm のエピタキシャルBSFO薄膜の詳細な結晶構造とその対称性の観察を試みた。