[8p-P10-1~49] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[8p-P10-14] α-Al₂O₃(0001)基板上のGa₂O₃の構造安定性の理論解析：表面および歪みの影響

〇石田 宏樹¹、秋山 亨¹、河村 貴宏¹ (1.三重大院工)

キーワード：

酸化ガリウム、界面機構

Ga₂O₃は、大きなバンドギャップ（4.8～5eV）を持つことで高耐圧化や低損失化を実現できる次世代パワー半導体材料として注目されている。これまでに我々は、界面エネルギーを計算することで、界面構造安定性の観点からα-Al₂O₃(0001)基板上Ga₂O₃の安定性を検討し、界面の安定性のみではα-Ga₂O₃の形成は起こり難いことを見出した。そこで本研究では、表面および歪みの影響を考慮してα-Al₂O₃(0001)基板上Ga₂O₃の構造安定性を議論する。