セッション詳細

[8p-P10-1~49]21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2025年9月8日(月) 16:00 〜 18:00
P10 (体育館)

[8p-P10-1]管状炉を用いたミストCVD法によるZnO結晶成長の温度依存性

〇川端 浩揮1、廣田 怜良1、光野 徹也1 (1.静岡大工)

[8p-P10-2]ミスト CVD 法による ZnO 結晶成長における くえん酸の原料溶液への添加効果の検討

〇廣田 怜良1、川端 浩揮1、光野 徹也1 (1.静岡大工)

[8p-P10-3]静電スプレー法における堆積条件がNiOの結晶成長に与える影響

〇柴田 圭亮1、田中 哉多1、杉山 睦1,2 (1.東理大 創域理工、2.東理大 総研)

[8p-P10-4]静電スプレー法における組成制御がInGaZnO4薄膜に与える影響

〇丸山 大貴1、⽥中 哉多1、杉⼭ 睦1,2 (1.東理大 創域理工、2.東理大 総研)

[8p-P10-5]大気圧高温下で均質膜を作製することの出来るミストCVD装置の開発

〇川原村 敏幸1、小松 正彦1、安岡 龍哉1、ワイ ス テッ1、モンダル アバイ クマール1、大橋 亮介1、岡田 達樹1、佐藤 裕也2、大久保 博2 (1.高知工大、2.東洋炭素(株))

[8p-P10-6]ミストCVD法による (111) 3C-SiC/Siテンプレート上κ-(InxGa1-x)2O3の成長

〇(M1)西川 未咲1、榎 駿介1、田中 悠馬1、小山 政俊1、藤井 彰彦1、前元 利彦1 (1.大阪工大)

[8p-P10-7]Mist CVD法を用いたIn2O3薄膜成長における純水ミスト混合の効果

〇石川 治樹1、山口 智広1、石川 諒1、飯塚 太郎1、相川 慎也1、尾沼 猛儀1、本田 徹1 (1.工学院大学電気電子)

[8p-P10-8]固相エピタキシー法によるSb添加ルチル型GeO2薄膜の合成

〇(M1)大澤 翔平1、長島 陽2、岡 大地1、廣瀬 靖1 (1.都立大院理、2.東大院理)

[8p-P10-9]岩塩構造Ni1-xZnxO薄膜のゾル・ゲル成長

〇安田 隆1、宮腰 竜翔1、中込 真二1 (1.石専大)

[8p-P10-10]Si基板上へのSnOスパッタ成膜:Si結晶方位依存性

〇(M1C)辛 佳和1、相川 慎也1 (1.工学院大工)

[8p-P10-11]p型アモルファスTaSnOx薄膜の製作に向けた積層膜のアニール処理

〇(M1C)辛 佳和1、高橋 司1、相川 慎也1 (1.工学院大工)

[8p-P10-12]サファイア基板上への酸化ガリウム形成とアニールに関する基礎研究

〇今泉 文伸1、森田 拓海1 (1.小山高専)

[8p-P10-13]Cuドープa-In2O3のMist CVD成長と電気的特性評価

〇(M1)飯塚 太郎1、石川 諒1、石川 治樹1、永井 裕紀1、尾沼 猛儀1、本田 徹1、山口 智広1 (1.工学院大学)

[8p-P10-14]α-Al2O3(0001)基板上のGa2O3の構造安定性の理論解析:表面および歪みの影響

〇石田 宏樹1、秋山 亨1、河村 貴宏1 (1.三重大院工)

[8p-P10-15]岩塩構造MgZnOにおけるウルツ鉱構造への相転移と配向性の評価

〇田中 恭輔1、小川 広太郎1、山口 智広1、本田 徹1、尾沼 猛儀1 (1.工学院大)

[8p-P10-16]ミストCVD法により成長したMgOホモエピタキシャル薄膜のSIMS分析

〇小川 広太郎1、田中 恭輔1、山口 智広1、本田 徹1、尾沼 猛儀1 (1.工学院大)

[8p-P10-17]ミストCVD法によるε (κ)-Ga2O3薄膜作製に向けたバッファー層の検討

〇大橋 亮介1、岡田 達樹1、モンダル アバイ・クマール1、ワイス テッ1、川原村 敏幸1,2 (1.高知工科大シス工、2.総合研究所)

[8p-P10-19]UHVスパッタエピタキシー法によるZnO単結晶層の成長(Ⅲ)

〇池田 陽登1、堀越 快人1、吉田 圭祐1、篠田 宏之1、六倉 信喜1 (1.東京電機大工)

[8p-P10-20]PLD法により成長したβ-Ga2O3ホモエピタキシャル薄膜の電気特性

〇是石 和樹1、相馬 拓人1、吉松 公平1、大友 明1 (1.科学大物質理工)

[8p-P10-21]合成石英基板上ZnO薄膜の高温アニールによる構造変化

〇前島 圭剛1、小湊 一颯1 (1.鹿児島大院理工)

[8p-P10-22]異なる面方位のβ-Ga2O3およびガラス表面におけるNiOの成長

〇(M1)立石 廉1、岡田 有史1 (1.京工繊工芸)

[8p-P10-23]Li添加NiO薄膜のスパッタ成膜時の初期結晶状態とアニール温度が電気・光学的特性に与える影響

〇服部 汰星1、杉山 睦1,2 (1.東理大 創域理工、2.東理大 総研)

[8p-P10-24]アニール処理によるNiO薄膜の導電型変化

〇安田 晴信1、秋葉 隆行1、宮本 広信2、佐々木 公平2、山口 智弘1、本田 徹1、尾沼 猛儀1 (1.工学院大、2.ノベルクリスタル)

[8p-P10-25]Deep-level traps in β-(AlxGa1-x)2O3 Schottky barrier diodes studied by deep level transient spectroscopy

〇(DC)Yun Jia1, Hironori Okumura1, Aboulaye Traore2, Yui Sasaki1, Kota Nakano1, Takeaki Sakurai1 (1.Univ. of Tsukuba, 2.Sorbonne Paris Nord Univ.)

[8p-P10-26]Effects of Hydroxyl Groups in Thermal Diffusion of Indium into ZnO Particles

〇(D)Abdul Md Halim1, Toshiyuki Yoshida1, Yasuhisa Fujita1 (1.Shimane University)

[8p-P10-27]ポストLiPF6ミスト照射によるLi+イオン注入のアモルファスTiOxネットワークへの影響

〇(M1)小林 史弥1、山本 孔明5、何 海燕5、白井 肇2,3、栗原 英紀4、曽根 宏隆4、佐藤 知正2、大野 俊典5 (1.神奈川大工、2.神奈川大工研、3.埼玉大理工、4.埼玉県産業技術総合センター、5.(株)天谷製作所)

[8p-P10-28]エッチバックにより10nm以下に薄膜化したSnSO4の特性評価

〇(M2)守屋 賢人1、永縄 創吉1、工藤 幸寛1、高橋 泰樹1、山口 智広1、相川 慎也1 (1.工学院大)

[8p-P10-29]Annealing Effect on Carrier Conduction of Nitrogen-Doped ZnO Nanoparticle layers

〇(D)Shrestha Dey Monty1, Yoshida Toshiyuki1, Fujita Yasuhisa1 (1.Shimane University)

[8p-P10-30]OCCC法β-Ga2O3結晶のTEM観察

〇樋口 直輝1、大西 一生1、姚 永昭1、富田 健稔2、柿本 浩一3、北原 正典2、鎌田 圭2,3、赤岩 和明4、吉川 彰2,3 (1.三重大、2.(株)C&A、3.東北大金研、4.鳥取大)

[8p-P10-31]放射光X線トポグラフィによるOCCC法β-Ga2O3単結晶基板の観察

〇水野 公貴1、大西 一生1、姚 永昭1、富田 健稔2、柿本 浩一3、北原 正典2、鎌田 圭2,3、赤岩 和明4、吉川 彰2,3 (1.三重大、2.(株)C&A、3.東北大金研、4.鳥取大)

[8p-P10-32]Ga-In電極を用いたNiO/β-Ga2O3の物性評価

〇(M2)西 悠登1、岡田 有史1 (1.京工繊大工芸)

[8p-P10-33]ナノシート酸化物半導体―電極界面における電子状態の膜厚依存性

〇黄 善彬1、坂井 洸太3、髙橋 崇典2、上沼 睦典1、右田 真司1、浦岡 行治2、小林 正治3 (1.産総研、2.奈良先端大、3.東大生産研)

[8p-P10-34]The Enhancements of p-Type Semiconductor trends of Nitrogen-Doping ZnO: Role of Nitrogen and Oxygen Annealing

〇(M2)Abrarul Haque1, Yumika Yamada1, Shuhei Funaki1, Yasuji Yamada1 (1.Shimane University)

[8p-P10-35]溶液法IGZO-TFTsのオゾン反応に対するNaイオン添加の効果

〇山子 莞斉1、笹島 宏青1、森本 貴明1、石井 啓介1 (1.防衛大)

[8p-P10-36]In-Al-O系紫外透過導電膜の作製及び透過特性

〇保田 将希1、竹舎 大智1、村田 滉太郎1、上川 純平1、小南 裕子1、原 和彦1、山路 晃広2、黒澤 俊介2 (1.静岡大、2.東北大)

[8p-P10-37]固相結晶化 ZnON シード層を用いたガラス基板上への低抵抗 ZnO:Al 膜の作製:as-deposited シード層の結晶化度の影響

〇和田 義晴1、謝 文叡1、山下 尚人1、奥村 賢直1、鎌滝 晋礼1、古閑 一憲1、白谷 正治1 (1.九大シス情)

[8p-P10-38]Zr添加ZnO透明導電膜におけるのアニール温度特性の影響

〇松本 幸祐1、鷹野 一朗2 (1.工学院大院、2.工学院大工)

[8p-P10-39]Zn+N共添加ZnO膜の特性における真空アニール時間依存性

〇大森 陽生1、ハク アブラウル1、山田 祐美加1,2、舩木 修平1、山田 容士1 (1.島根大学、2.(株)コベルコ科研)

[8p-P10-40]ZnO微粒子へのGa熱拡散におけるZnO/Ga2O3粒子の帯電効果

〇(M2)川合 悠介1、吉田 俊幸1、藤田 恭久1 (1.島根大自然科学研究科)

[8p-P10-41]水系前駆体溶液とエキシマ光照射プロセスを用いたトップゲート型InGaO薄膜トランジスタの作製と特性評価

〇落合 秀哉1、上田 一輝1、野村 卓矢1、藤元 章1、和田 英男1、小山 政俊1、藤井 彰彦1、清水 昭宏2、竹添 法隆2、伊藤 寛泰2、前元 利彦1 (1.大阪工大 ナノ材研、2.ウシオ電機(株))

[8p-P10-42]酸化アニール処理がアモルファスp型TeOX薄膜トランジスタに及ぼす影響

〇石井 和歩1、辛 佳和1、相川 慎也1 (1.工学院大工)

[8p-P10-43]ITO電極を用いたSiOx ReRAMにおけるエレクトロフォーミングの影響

〇(M1C)牧島 唯斗1、守屋 賢人1、相川 慎也1 (1.工学院大)

[8p-P10-44]RFパワーおよび成膜圧力がHfO₂薄膜の結晶性およびリーク電流特性に与える影響

〇篠田 太陽1、河西 秀典1,2、木村 睦1 (1.龍谷大院先理、2.革材プロ研センター)

[8p-P10-45]Ga-Sn-Oメモリスタにおける電気的特性への抵抗変化層膜厚依存性

〇萩原 瑠星1、松田 時宜1,2、河西 秀典2、木村 睦2,3 (1.近大総理工、2.龍大革新的材料・プロセス研究センター、3.龍大)

[8p-P10-46]n型α-Ga2O3におけるTi電極およびITO電極の特性比較

〇山口 勇豪1、山田 琴乃1、西尾 宗真1、飯田 隆真1、相川 慎也1、尾沼 猛儀1、本田 徹1、山口 智広1 (1.工学院大学)

[8p-P10-47]合成石英基板上に成膜した非晶質GaOx薄膜を用いた深紫外線検出器の作製と特性評価

〇榎 駿介1、山崎 伊織1、西川 未咲1、小山 政俊1、藤井 彰彦1、前元 利彦1 (1.大阪工業大学)

[8p-P10-48]基板裏面への電圧印加がZnGa2O4多結晶薄膜を流れる電流に及ぼす影響

〇(M1)小熊 佑弥1、加瀬 伶也1、飯塚 知己1、大越 康晴1、山本 和貫2、石井 聡1 (1.東京電機大、2.千葉大院工)

[8p-P10-49]フレキシブル基板上に作製したNiO系可視光透過型薄膜トランジスタに非加熱でのポストプロセスが与える影響

〇松林 芳樹1、服部 汰星1、小出 祐菜1、杉山 睦1,2 (1.東理大 創域理工、2.東理大 総研)