セッション詳細
[8p-P10-1~49]21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」
2025年9月8日(月) 16:00 〜 18:00
P10 (体育館)
[8p-P10-5]大気圧高温下で均質膜を作製することの出来るミストCVD装置の開発
〇川原村 敏幸1、小松 正彦1、安岡 龍哉1、ワイ ス テッ1、モンダル アバイ クマール1、大橋 亮介1、岡田 達樹1、佐藤 裕也2、大久保 博2 (1.高知工大、2.東洋炭素(株))
[8p-P10-6]ミストCVD法による (111) 3C-SiC/Siテンプレート上κ-(InxGa1-x)2O3の成長
〇(M1)西川 未咲1、榎 駿介1、田中 悠馬1、小山 政俊1、藤井 彰彦1、前元 利彦1 (1.大阪工大)
[8p-P10-7]Mist CVD法を用いたIn2O3薄膜成長における純水ミスト混合の効果
〇石川 治樹1、山口 智広1、石川 諒1、飯塚 太郎1、相川 慎也1、尾沼 猛儀1、本田 徹1 (1.工学院大学電気電子)
[8p-P10-13]Cuドープa-In2O3のMist CVD成長と電気的特性評価
〇(M1)飯塚 太郎1、石川 諒1、石川 治樹1、永井 裕紀1、尾沼 猛儀1、本田 徹1、山口 智広1 (1.工学院大学)
[8p-P10-17]ミストCVD法によるε (κ)-Ga2O3薄膜作製に向けたバッファー層の検討
〇大橋 亮介1、岡田 達樹1、モンダル アバイ・クマール1、ワイス テッ1、川原村 敏幸1,2 (1.高知工科大シス工、2.総合研究所)
[8p-P10-23]Li添加NiO薄膜のスパッタ成膜時の初期結晶状態とアニール温度が電気・光学的特性に与える影響
〇服部 汰星1、杉山 睦1,2 (1.東理大 創域理工、2.東理大 総研)
[8p-P10-24]アニール処理によるNiO薄膜の導電型変化
〇安田 晴信1、秋葉 隆行1、宮本 広信2、佐々木 公平2、山口 智弘1、本田 徹1、尾沼 猛儀1 (1.工学院大、2.ノベルクリスタル)
[8p-P10-25]Deep-level traps in β-(AlxGa1-x)2O3 Schottky barrier diodes studied by deep level transient spectroscopy
〇(DC)Yun Jia1, Hironori Okumura1, Aboulaye Traore2, Yui Sasaki1, Kota Nakano1, Takeaki Sakurai1 (1.Univ. of Tsukuba, 2.Sorbonne Paris Nord Univ.)
[8p-P10-26]Effects of Hydroxyl Groups in Thermal Diffusion of Indium into ZnO Particles
〇(D)Abdul Md Halim1, Toshiyuki Yoshida1, Yasuhisa Fujita1 (1.Shimane University)
[8p-P10-27]ポストLiPF6ミスト照射によるLi+イオン注入のアモルファスTiOxネットワークへの影響
〇(M1)小林 史弥1、山本 孔明5、何 海燕5、白井 肇2,3、栗原 英紀4、曽根 宏隆4、佐藤 知正2、大野 俊典5 (1.神奈川大工、2.神奈川大工研、3.埼玉大理工、4.埼玉県産業技術総合センター、5.(株)天谷製作所)
[8p-P10-28]エッチバックにより10nm以下に薄膜化したSnSO4の特性評価
〇(M2)守屋 賢人1、永縄 創吉1、工藤 幸寛1、高橋 泰樹1、山口 智広1、相川 慎也1 (1.工学院大)
[8p-P10-29]Annealing Effect on Carrier Conduction of Nitrogen-Doped ZnO Nanoparticle layers
〇(D)Shrestha Dey Monty1, Yoshida Toshiyuki1, Fujita Yasuhisa1 (1.Shimane University)
[8p-P10-30]OCCC法β-Ga2O3結晶のTEM観察
〇樋口 直輝1、大西 一生1、姚 永昭1、富田 健稔2、柿本 浩一3、北原 正典2、鎌田 圭2,3、赤岩 和明4、吉川 彰2,3 (1.三重大、2.(株)C&A、3.東北大金研、4.鳥取大)
[8p-P10-31]放射光X線トポグラフィによるOCCC法β-Ga2O3単結晶基板の観察
〇水野 公貴1、大西 一生1、姚 永昭1、富田 健稔2、柿本 浩一3、北原 正典2、鎌田 圭2,3、赤岩 和明4、吉川 彰2,3 (1.三重大、2.(株)C&A、3.東北大金研、4.鳥取大)
[8p-P10-33]ナノシート酸化物半導体―電極界面における電子状態の膜厚依存性
〇黄 善彬1、坂井 洸太3、髙橋 崇典2、上沼 睦典1、右田 真司1、浦岡 行治2、小林 正治3 (1.産総研、2.奈良先端大、3.東大生産研)
[8p-P10-34]The Enhancements of p-Type Semiconductor trends of Nitrogen-Doping ZnO: Role of Nitrogen and Oxygen Annealing
〇(M2)Abrarul Haque1, Yumika Yamada1, Shuhei Funaki1, Yasuji Yamada1 (1.Shimane University)
[8p-P10-36]In-Al-O系紫外透過導電膜の作製及び透過特性
〇保田 将希1、竹舎 大智1、村田 滉太郎1、上川 純平1、小南 裕子1、原 和彦1、山路 晃広2、黒澤 俊介2 (1.静岡大、2.東北大)
[8p-P10-37]固相結晶化 ZnON シード層を用いたガラス基板上への低抵抗 ZnO:Al 膜の作製:as-deposited シード層の結晶化度の影響
〇和田 義晴1、謝 文叡1、山下 尚人1、奥村 賢直1、鎌滝 晋礼1、古閑 一憲1、白谷 正治1 (1.九大シス情)
[8p-P10-39]Zn+N共添加ZnO膜の特性における真空アニール時間依存性
〇大森 陽生1、ハク アブラウル1、山田 祐美加1,2、舩木 修平1、山田 容士1 (1.島根大学、2.(株)コベルコ科研)
[8p-P10-41]水系前駆体溶液とエキシマ光照射プロセスを用いたトップゲート型InGaO薄膜トランジスタの作製と特性評価
〇落合 秀哉1、上田 一輝1、野村 卓矢1、藤元 章1、和田 英男1、小山 政俊1、藤井 彰彦1、清水 昭宏2、竹添 法隆2、伊藤 寛泰2、前元 利彦1 (1.大阪工大 ナノ材研、2.ウシオ電機(株))
[8p-P10-44]RFパワーおよび成膜圧力がHfO₂薄膜の結晶性およびリーク電流特性に与える影響
〇篠田 太陽1、河西 秀典1,2、木村 睦1 (1.龍谷大院先理、2.革材プロ研センター)
[8p-P10-45]Ga-Sn-Oメモリスタにおける電気的特性への抵抗変化層膜厚依存性
〇萩原 瑠星1、松田 時宜1,2、河西 秀典2、木村 睦2,3 (1.近大総理工、2.龍大革新的材料・プロセス研究センター、3.龍大)
[8p-P10-46]n型α-Ga2O3におけるTi電極およびITO電極の特性比較
〇山口 勇豪1、山田 琴乃1、西尾 宗真1、飯田 隆真1、相川 慎也1、尾沼 猛儀1、本田 徹1、山口 智広1 (1.工学院大学)
[8p-P10-47]合成石英基板上に成膜した非晶質GaOx薄膜を用いた深紫外線検出器の作製と特性評価
〇榎 駿介1、山崎 伊織1、西川 未咲1、小山 政俊1、藤井 彰彦1、前元 利彦1 (1.大阪工業大学)
[8p-P10-48]基板裏面への電圧印加がZnGa2O4多結晶薄膜を流れる電流に及ぼす影響
〇(M1)小熊 佑弥1、加瀬 伶也1、飯塚 知己1、大越 康晴1、山本 和貫2、石井 聡1 (1.東京電機大、2.千葉大院工)
[8p-P10-49]フレキシブル基板上に作製したNiO系可視光透過型薄膜トランジスタに非加熱でのポストプロセスが与える影響
〇松林 芳樹1、服部 汰星1、小出 祐菜1、杉山 睦1,2 (1.東理大 創域理工、2.東理大 総研)