[8p-P10-1~49] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[8p-P10-24] アニール処理によるNiO薄膜の導電型変化

〇安田 晴信¹、秋葉 隆行¹、宮本 広信²、佐々木 公平²、山口 智弘¹、本田 徹¹、尾沼 猛儀¹ (1.工学院大、2.ノベルクリスタル)

キーワード：

ワイドバンドギャップ半導体、β型酸化ガリウム、NiO薄膜

O₂比率を50～100%の範囲で変化させてRFマグネトロンスパッタ成膜したNiO薄膜に対し、100℃～400℃でアニール処理を施し、電気的特性の変化に注目した。O₂比率減少、並びに300℃以上のアニール温度では、Ni空孔の減少に伴い室温抵抗率の増加が観られた。導電型を判別した結果、300℃以上のアニール温度でp型からn型への変化が観られた。ドナー型のNi⁰欠陥の関与が示唆される。