[8p-P10-1~49] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[8p-P10-36] In-Al-O系紫外透過導電膜の作製及び透過特性

〇保田 将希¹、竹舎 大智¹、村田 滉太郎¹、上川 純平¹、小南 裕子¹、原 和彦¹、山路 晃広²、黒澤 俊介² (1.静岡大、2.東北大)

キーワード：

透明電極、紫外発光デバイス

我々の研究室では新規紫外発光デバイスについて研究を行っており、本研究では、発光層としてZnAl₂O₄を用いたELランプの開発を目指している。デバイス化に向けて250 nm付近の光を透過可能な導電膜が必要である。そこで、既存の透明導電材料であるIn₂O₃にワイドギャップ半導体構成元素であるAlを置換することにより、深紫外領域での透過率向上を試みた。混晶材料の組成比及びアニール温度の最適化を行い、その特性を評価した。