[8p-P10-1~49] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[8p-P10-38] Zr添加ZnO透明導電膜におけるのアニール温度特性の影響

〇松本 幸祐¹、鷹野 一朗² (1.工学院大院、2.工学院大工)

キーワード：

透明導電膜、半導体、酸化亜鉛

透明導電膜として多用されている材料はITOが主流となっているが、Inはレアメタルであり供給が不安定であるため代替品の研究が盛んに行われている 。代替物質としては、ZnOやSnO2が候補として挙げられているが、単体の場合抵抗率の高さが課題となっている。本研究では、ZnOを室温形成すると同時にZnOと同様の結晶構造及び電気陰性度を持つZrをドープした。さらに、成膜後にアニーリングすることで透明導電膜としての特性評価を行った。