[8p-P10-1~49] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[8p-P10-45] Ga-Sn-Oメモリスタにおける電気的特性への抵抗変化層膜厚依存性

〇萩原 瑠星¹、松田 時宜^1,2、河西 秀典²、木村 睦^2,3 (1.近大総理工、2.龍大革新的材料・プロセス研究センター、3.龍大)

キーワード：

酸化物半導体、メモリスタ、酸化ガリウムスズ

Ga-Sn-O（GTO）は透明酸化物半導体であり，薄膜トランジスタ(TFT)、メモリスタをはじめとする各デバイスの特性に合わせた薄膜が採用されている．
メモリスタは半導体薄膜を上下の金属電極で挟むことにより形成され，上下の電極に電圧を印加すると挟まれた半導体薄膜の抵抗が変化するものである．抵抗変化の原理は素子内の酸素イオン，及び酸素空孔の拡散によるものと考えられている．しかし，GTOメモリスタのオンオフ特性は改善の余地がある．
本研究ではGTO層の膜厚を増加させる事によって，抵抗変化層内の酸素イオン，及び酸素空孔が増加し，メモリスタ特性が向上するという仮説を立て，メモリスタの電気的特性の膜厚依存性を報告する．