[9a-N105-1~10] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

11:30 〜 11:45奨励賞エントリー

[9a-N105-10] 半透明ペロブスカイト太陽電池用透明電極の成膜プロセス改善による光吸収率抑制について

〇梁 生平¹、佐野 浩孝¹、根本 弥生¹、佐藤 諒¹、劉 瀟¹ (1.京セラ)

キーワード：

透明導電膜、ペロブスカイト太陽電池、スパッタリング

本研究では、半透明ペロブスカイト太陽電池の上部電極として使用している ITO について成膜 プロセスを変更して、ITO 単膜の光吸収率の評価を行った。我々は成膜のたびに装置のチャンバーを大気開放しており、成膜回数が増加すると、ITO膜の光吸収率が増加してしまうことが分かった。そこで、装置のチャンバーを毎回加熱してチャンバー内の水分を除去することで、ITO膜の光吸収率の増加を抑制することができることを明らかにした。