2025年第86回応用物理学会秋季学術講演会
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セッション詳細

一般セッション(口頭講演)21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」：21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[9a-N105-1~10]21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2025年9月9日(火) 9:00 〜 11:45
N105 (共通講義棟北)
9:00 〜 9:15奨励賞エントリー

[9a-N105-1]InGaO3(ZnO)4 大型単結晶の電気輸送特性

〇(M2)平井 萌々香1、小海 稜太郎1、高橋 拓海1、光山 大樹1、井上 禎人1、加瀬 直樹1、柳澤 亮人1、宮川 宣明1 (1.東理大先進工)
9:15 〜 9:30奨励賞エントリー

[9a-N105-2]硬X線光電子分光によるInGaZnO4バルク単結晶の電子構造の深さ分析

〇田畑 銀平1、山岸 稜也1、澤田 晏伯1、河村 優介1、漆間 由都1、井上 禎人1、石垣 賢卯1、加瀬 直樹1、保井 晃2、唐 佳藝2、宮川 宣明1、齋藤 智彦1 (1.東理大、2.JASRI)
9:30 〜 9:45奨励賞エントリー

[9a-N105-3]InGaZn2O5バルク単結晶の硬X線光電子分光

〇小林 愛結1,2、山岸 稜也2、澤田 晏伯2、石垣 賢卯1,2、河村 優介1、漆間 由都1、井上 禎人1、平井 萌々香2、加瀬 直樹1,2、保井 晃3、唐 佳藝3、宮川 宣明1,2、齋藤 智彦1,2 (1.東理大理、2.東理大先進工、3.JASRI)
9:45 〜 10:00奨励賞エントリー

[9a-N105-4]InGaZnO4単結晶の顕微角度分解光電子分光

〇南部 耀一1、大谷 康介1、澤田 晏伯1、河村 優介1、漆間 由都1、井上 禎人1、石垣 賢卯1、加瀬 直樹1、小澤 健一2、宮川 宣明1、齋藤 智彦1 (1.東理大、2.KEK PF)
10:00 〜 10:15奨励賞エントリー

[9a-N105-5]p型SnO薄膜特性のスパッタリング成膜時酸素分圧依存

〇大谷 知輝1、安藤 昌輝1、伊藤 佑太1,2、西原 達平3,4、小椋 厚志1,3 (1.明治大理工、2.学振特別研究員DC、3.明大MREL、4.JASRI)
10:30 〜 10:45奨励賞エントリー

[9a-N105-6]レアメタルフリー酸化物薄膜トランジスタのキャリア輸送機構の調査

〇樫葉 圭蔵1、ベルムンド フアンパオロソリア1、曲 勇作2,3、クイノ カンデル グレイス パレデス1、太田 裕道3、浦岡 行治1 (1.奈良先端大、2.高知工大、3.北大電子研)
10:45 〜 11:00奨励賞エントリー英語発表

[9a-N105-7]Rare-Metal-Free Solution-Processed Source-Gated Transistors via Argon Plasma-induced Contact Optimization

〇(D)Mark Denusta Ilasin1, Juan Paolo Soria Bermundo1, Pongsakorn Sihapitak1, Candell Grace Paredes Quino1, Magdaleno Jr. Rigodon Vasquez2, Senku Tanaka3, Hidenori Kawanishi1, Yukiharu Uraoka1 (1.NAIST, 2.UPD, 3.Kindai Univ.)
11:00 〜 11:15奨励賞エントリー

[9a-N105-8]ALD-Based Sn-Doped InGaZnO FETs with Reliability Enhancement

〇(D)Kim Sunghun1、Choi SunHong1、Sakai Kota1、Saraya Takuya1、Hiramoto Toshiro1、Kobayashi Masaharu1,2 (1.東京電気系、2.東京生産研)
11:15 〜 11:30奨励賞エントリー

[9a-N105-9]MoドープIn₂O₃透明導電膜の成膜条件に関するスモールデータ機械学習

〇(M1)林 鷹河1、山田 直臣1 (1.中部大工)
11:30 〜 11:45奨励賞エントリー

[9a-N105-10]半透明ペロブスカイト太陽電池用透明電極の成膜プロセス改善による光吸収率抑制について

〇梁 生平1、佐野 浩孝1、根本 弥生1、佐藤 諒1、劉 瀟1 (1.京セラ)
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