[9a-N107-1~11] 6.4 薄膜新材料

9:45 〜 10:00

[9a-N107-4] パルスレーザー堆積法を用いたAg/Cr比制御による単相AgCrSe2薄膜のエピタキシャル成長

〇塩貝 純一^1,2、田島 悠輔¹、稲村 健臣¹、眞崎 世聞¹、山崎 匠³、関 剛斎^3,4、工藤 一貴^1,2、松野 丈夫^1,2 (1.阪大理、2.阪大OTRIスピン、3.東北大金研、4.東北大CSIS)

キーワード：

層状物質、磁性半導体、走査型透過電子顕微鏡