セッション詳細
[9a-N107-1~11]6.4 薄膜新材料
2025年9月9日(火) 9:00 〜 12:00
N107 (共通講義棟北)
河底 秀幸(都立大)
金属・磁性体・金属水素化物薄膜
[9a-N107-4]パルスレーザー堆積法を用いたAg/Cr比制御による単相AgCrSe2薄膜のエピタキシャル成長
〇塩貝 純一1,2、田島 悠輔1、稲村 健臣1、眞崎 世聞1、山崎 匠3、関 剛斎3,4、工藤 一貴1,2、松野 丈夫1,2 (1.阪大理、2.阪大OTRIスピン、3.東北大金研、4.東北大CSIS)
[9a-N107-5]Y/Te多層膜前駆体のその場熱処理によるYTe3薄膜の合成
〇木村 史希1、根岸 真通1、河底 秀幸2、福村 知昭1,3 (1.東北大理、2.都立大理、3.東北大 AIMR)
[9a-N107-7][分科内招待講演] 原子層堆積法によるGeO2層形成およびGeSnの表面パッシベーション
〇加藤 芳規1、坂下 満男1、黒澤 昌志1、中塚 理1,2、柴山 茂久1 (1.名大院工、2.名大未来研)
[9a-N107-8]量論組成SrLiH3エピタキシャル薄膜の合成
〇(M1)石橋 悠磨1、福士 英里香1、間嶋 拓也2、原田 尚之3、大口 裕之1 (1.芝浦工大理工、2.京大院工、3.物材機構)
[9a-N107-9]BaH2エピタキシャル薄膜の合成条件とヒドリドイオン伝導特性
〇多田 希1、春日井 若菜1、福士 英里香1、原田 尚之2、大口 裕之1 (1.芝浦工大学理工、2.物材研)