2025年第86回応用物理学会秋季学術講演会
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一般セッション(口頭講演)6 薄膜・表面：6.4 薄膜新材料

[9a-N107-1~11]6.4 薄膜新材料

2025年9月9日(火) 9:00 〜 12:00
N107 (共通講義棟北)
9:00 〜 9:15

[9a-N107-1]基板によるCr-Al薄膜の構造差異と荷重センサへの応用

〇青木 菜摘1、津野 将弥1、山本 明旦定2、橋本 佳男2 (1.KOA(株)、2.信州大工)
9:15 〜 9:30

[9a-N107-2]真空蒸着法により窒素雰囲気下で成膜したポーラスAl膜の評価

〇(M1)柴田 博紀1、川村 みどり1、木場 隆之1 (1.北見工大)
9:30 〜 9:45

[9a-N107-3]室温におけるFeSi2添加Cu2Se薄膜の熱電特性

〇後藤 真宏1、佐々木 道子1、諸永 拓1、原 徹1、徐 一斌1 (1.物材機構)
9:45 〜 10:00

[9a-N107-4]パルスレーザー堆積法を用いたAg/Cr比制御による単相AgCrSe2薄膜のエピタキシャル成長

〇塩貝 純一1,2、田島 悠輔1、稲村 健臣1、眞崎 世聞1、山崎 匠3、関 剛斎3,4、工藤 一貴1,2、松野 丈夫1,2 (1.阪大理、2.阪大OTRIスピン、3.東北大金研、4.東北大CSIS)
10:00 〜 10:15

[9a-N107-5]Y/Te多層膜前駆体のその場熱処理によるYTe3薄膜の合成

〇木村 史希1、根岸 真通1、河底 秀幸2、福村 知昭1,3 (1.東北大理、2.都立大理、3.東北大 AIMR)
10:15 〜 10:30

[9a-N107-6]カゴメ格子合金CoSn薄膜のスパッタリング成長と物性評価

〇(M1)井川 僚哉1、藤原 宏平1 (1.立教大理)
10:45 〜 11:00

[9a-N107-7][分科内招待講演] 原子層堆積法によるGeO2層形成およびGeSnの表面パッシベーション

〇加藤 芳規1、坂下 満男1、黒澤 昌志1、中塚 理1,2、柴山 茂久1 (1.名大院工、2.名大未来研)
11:00 〜 11:15

[9a-N107-8]量論組成SrLiH3エピタキシャル薄膜の合成

〇(M1)石橋 悠磨1、福士 英里香1、間嶋 拓也2、原田 尚之3、大口 裕之1 (1.芝浦工大理工、2.京大院工、3.物材機構)
11:15 〜 11:30

[9a-N107-9]BaH2エピタキシャル薄膜の合成条件とヒドリドイオン伝導特性

〇多田 希1、春日井 若菜1、福士 英里香1、原田 尚之2、大口 裕之1 (1.芝浦工大学理工、2.物材研)
11:30 〜 11:45

[9a-N107-10]ラジカル水素反応性赤外レーザー蒸着法によるSrH2エピタキシャル膜合成

〇河原 幸生1、原田 尚之2、大口 裕之1 (1.芝浦工大理工、2.物材研)
11:45 〜 12:00

[9a-N107-11]Otto配置型プラズモン水素センサにおけるPt表面触媒層の効果

〇山根 治起1、柴田 寿人1、石田 拓也2、立間 徹2 (1.秋田産技センター、2.東大生研)
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