[9a-N201-1~10] 6.1 強誘電体薄膜

9:00 〜 9:15奨励賞エントリー

[9a-N201-1] 下部電極層による格子歪を用いたPb(Zr, Ti)O₃薄膜のドメイン制御

〇(D)中畑 美紀¹、石濱 圭佑²、江原 祥隆³、清水 荘雄⁴、Xie Lingling⁵、菅 大介⁵、山田 智明⁶、岡本 一輝¹、舟窪 浩¹ (1.科学大、2.東工大、3.防大、4.NIMS、5.京大化研、6.名古屋大)

キーワード：

ドメイン構造制御、PZT薄膜、La-SrSnO3薄膜

Pb(Zr_x, Ti_1-x)O₃(PZT)膜の非180°ドメインスイッチング機構の詳細な解明には、面内歪みや配向を制御したドメイン構造の系統的な研究が不可欠である。特に、面内分極を持つaドメインの安定化には引張歪みが必要であるが、それを実現できるペロブスカイト構造の下部層材料は限られていた。本研究では、PZT膜に引張歪みを導入する下部電極としてLa–SrSnO₃（LSSO）を用いた。LSSO上に作製した臨界膜厚(約40 nm)以下のPZT薄膜において、aドメイン構造の形成に成功した。