[9a-N201-1~10] 6.1 強誘電体薄膜

10:45 〜 11:00奨励賞エントリー

[9a-N201-8] (Rb,K)NbO₃固溶体薄膜の電気特性

〇増田 歩^1,2、田口 祐也¹、増田 達也²、濵嵜 容丞³、江原 祥隆³、森分 博紀^1,2、小林 能直¹、安井 伸太郎¹ (1.科学大、2.JFCC、3.防衛大)

キーワード：

強誘電体材料、エピタキシャル薄膜

ペロブスカイト型RbNbO₃はBaTiO₃と非常に類似したフォノンバンド構造を有していることから、強誘電性、巨大誘電率が期待され、また強誘電体相転移が680K付近に存在することが確認されたことから、第二のBaTiO₃材料として期待されている。RbNbO₃は高圧相材料であるため、高圧相の常圧安定化に実績のあるエピタキシャル薄膜に着目した。本研究では、類似組成のKNbO₃との固溶体薄膜(Rb,K)NbO₃を成膜し、Rb固溶による結晶構造および誘電特性への影響を調査した。