講演情報
[9a-N205-4]Si添加量子井戸活性層を有する深紫外LEDの光出力のSi濃度依存性
〇藤田 麻里奈1、竹内 哲也1、上山 智1、岩谷 素顕1、石黒 永孝1、竹久 哲平1、武藤 響己1、三浦 聖央1、高瀬 健太1 (1.名城大理工)
キーワード：
深紫外LED
本研究では、AlGaN量子井戸活性層を有する深紫外LEDにおけるSi濃度と光出力の関係を検討しました。Siを量子井戸層または障壁層に異なる濃度でドープした6種類のサンプルを作製し、280nmでの発光特性を比較評価しました。その結果、Siを障壁層に5.0×10¹⁷ cm⁻³ドープした場合に最も高い光出力が得られ、無添加サンプルの約1.3倍となりました。このことから、適切なSi濃度と添加位置の最適化により、深紫外LEDの発光効率向上が可能であることが示唆されました。今後はさらに高濃度・低濃度のSi添加効果についても検討を進めていく予定です。