セッション詳細

[9a-N205-1~10]13.8 光物性・発光デバイス

2025年9月9日(火) 9:00 〜 11:30
N205 (共通講義棟北)

[9a-N205-1]High External Quantum Efficiency of 0.51% in 232 nm AlGaN-based far-UVC LED by Swapping from Heteroepitaxy to Homoepitaxy

〇(P)Muhammad Nawaz Sharif1, Kohei Fujimoto1,3, Arata Sasaki1,3, Hiromitsu Sakai2, Hiroyuki Yaguchi3, Muhammad Ajmal Khan1, Hideki Hirayama1 (1.Quantum Optodevice Labortory RIKEN Cluster for Pioneering Research, 2.Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Japan, 3.Saitama University)

[9a-N205-2]Demonstration of (219–221 nm)-Band Extreme-far-UVC LEDs on c-Sapphire

〇(P)Amina Yasin1, Yuki Nakamura1, M. Nawaz Sharif1, M. Ajmal Khan1, Hideki Hirayama1 (1.RIKEN)

[9a-N205-3]A new tri-layer Ni/Al/Au p-electrode in 281 nm UVB LED Boosted EQE to 4.6%

〇Hamida Zia2,1, Amina Yasin2, Kohei Fujimoto1,2, Hiroyuki Yaguchi1, M. Ajmal Khan2, Hideki Hirayama2 (1.Saitama University, 2.Riken)

[9a-N205-4]Si添加量子井戸活性層を有する深紫外LEDの光出力のSi濃度依存性

〇藤田 麻里奈1、竹内 哲也1、上山 智1、岩谷 素顕1、石黒 永孝1、竹久 哲平1、武藤 響己1、三浦 聖央1、高瀬 健太1 (1.名城大理工)

[9a-N205-5]層状2次元半導体TiNClの発光の温度依存性

〇小田 勝1、右近 泰征1、田中 将嗣1、近藤 久雄2、山本 愛士3 (1.九工大院工、2.愛媛大院理工、3.広工大工)

[9a-N205-6]有機無機2Dペロブスカイト膜における反射スペクトル測定による多重量子井戸ポラリトンの観測

〇下迫 直樹1、三浦 康弘2、赤城 嘉也2、欅田 英之3、江馬 一弘3 (1.静岡大、2.浜松医大医、3.上智大理工)

[9a-N205-7]中性子検出に向けた新規ゼロ次元型Li2HfX6ハロゲン化物シンチレータの電子・発光特性

〇(DC)藤原 千隼1,2、黒澤 俊介2,3,4,5、山路 晃広2,3、吉川 彰2,3 (1.東北大 工、2.東北大 金研、3.東北大 NICHe、4.阪大レーザー研、5.京都大 複合研)

[9a-N205-8]ゲル浸透クロマトグラフィーを用いた極性溶媒分散性Si量子ドットの発光色制御

〇(M1C)佐々木 翔汰1、越田 信義1,2、中村 俊博1 (1.法政大学院理工、2.東京農工大)

[9a-N205-9]Fabry–Pérot型共振器を用いた有機分子-Si量子ドットハイブリッド薄膜からの狭線幅発光

〇(M1)道越 大悟1、越田 信義1,2、笠原 崇史1、中村 俊博1 (1.法政大院理工、2.東京農工大)

[9a-N205-10]酸化還元メディエーター有機分子添加によるSi量子ドット電気化学発光デバイスの特性改善

〇(M1C)田中 陸翔1、越田 信義1,2、笠原 崇史1、中村 俊博1 (1.法政大院理工、2.東京農工大)