2025年第86回応用物理学会秋季学術講演会
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一般セッション(口頭講演)15 結晶工学：15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[9a-N302-1~11]15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

2025年9月9日(火) 9:00 〜 12:00
N302 (共通講義棟北)
鳥越 和尚(SUMCO)、 神山 栄治(GWJ)
9:00 〜 9:15

[9a-N302-1]<110>方位CZ-Si単結晶の転位挙動に対する結晶径変動の影響

〇松村 尚1,2、斉藤 広幸1、太子 敏則2 (1.グローバルウェーハズ・ジャパン、2.信大工)
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9:15 〜 9:30

[9a-N302-2]Si(110)ウェーハ高温熱処理後表面形状の傾斜角度依存性

〇仙田 剛士1、早川 兼1、須藤 治生1、松村 尚1 (1.グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社)
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9:30 〜 9:45

[9a-N302-3]Si(100)および(110)ウェーハの急速熱酸化で形成される表面酸化膜の密度

〇早川 兼1、須藤 治生1、仙田 剛士1、松村 尚1 (1.グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社)
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9:45 〜 10:00

[9a-N302-4]Si (100) および (110) ウェーハの急速熱酸化におけるボイド欠陥消滅挙動

〇須藤 治生1、早川 兼1、仙田 剛士1、松村 尚1 (1.グローバルウェーハズ)
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10:00 〜 10:15

[9a-N302-5]遺伝的アルゴリズムを用いたRTPウェーハ内の空孔-酸素複合体の安定原子構造探索

〇岩城 浩也1,2、別宮 響1、須藤 治生2、早川 兼2、神山 栄治2、末岡 浩治3 (1.岡山県大院情報系工、2.グローバルウェーハズ・ジャパン（株）、3.岡山県大情報工)
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10:15 〜 10:30

[9a-N302-6]シリコン{311}欠陥内におけるドーパント原子安定性の第一原理解析

〇神山 栄治1,2、永井 勇太1、泉妻 宏冶1,2、末岡 浩治2 (1.グローバルウェーハズ・ジャパン㈱、2.岡山県立大情報工)
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10:45 〜 11:00

[9a-N302-7]CH2F+注入シリコンエピタキシャルウェーハのフッ素拡散挙動

〇廣瀬 諒1、門野 武1、小林 弘治1、永友 翔1、栗田 一成1 (1.株式会社SUMCO)
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11:00 〜 11:15

[9a-N302-8]パワーデバイス用CZ-Si結晶のSb蒸発による抵抗制御技術の開発

〇宝来 正隆2,3、鳴嶋 康人1、藤原 俊幸2、杉村 渉2、下山 学2、小野 敏昭2、柿本 浩一3、西澤 伸一3 (1.SUMCO TECHXIV、2.SUMCO、3.九大応力研)
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11:15 〜 11:30奨励賞エントリー

[9a-N302-9]CZ-Si結晶成長におけるドーパント蒸発による抵抗率制御

〇八明 択実1、齋藤 渉2、西澤 伸一2 (1.九大総合理工、2.九大応力研)
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11:30 〜 11:45

[9a-N302-10]分子動力学によるSixGe1-x結晶の熱伝導度解析

〇柿本 浩一1 (1.東北大金研)
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11:45 〜 12:00

[9a-N302-11]結晶と融液の透明度がOCCC法におけるGa2O3単結晶成長時の
炉内温度分布に与える影響

〇柿本 浩一1、富田 健稔2、Vladimir Kochurikhin2、北原 正典2、鎌田 圭1,2、中野 智3、姚 永昭4、赤岩 和明5、吉川 彰1,2 (1.東北大金研、2.㈱C & A、3.九大　応力研、4.三重大、5.鳥取大)
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