[9a-N302-1~11] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥 | 2025年第86回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)15 結晶工学：15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[9a-N302-1~11]15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

2025年9月9日(火) 9:00 〜 12:00

N302 (共通講義棟北)

9:00 〜 9:15

[9a-N302-1]<110>方位CZ-Si単結晶の転位挙動に対する結晶径変動の影響

〇松村尚^1,2、斉藤広幸¹、太子敏則² (1.グローバルウェーハズ・ジャパン、2.信大工)

9:15 〜 9:30

[9a-N302-2]Si(110)ウェーハ高温熱処理後表面形状の傾斜角度依存性

〇仙田剛士¹、早川兼¹、須藤治生¹、松村尚¹ (1.グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社)

9:30 〜 9:45

[9a-N302-3]Si(100)および(110)ウェーハの急速熱酸化で形成される表面酸化膜の密度

〇早川兼¹、須藤治生¹、仙田剛士¹、松村尚¹ (1.グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社)

9:45 〜 10:00

[9a-N302-4]Si (100) および (110) ウェーハの急速熱酸化におけるボイド欠陥消滅挙動

〇須藤治生¹、早川兼¹、仙田剛士¹、松村尚¹ (1.グローバルウェーハズ)

10:00 〜 10:15

[9a-N302-5]遺伝的アルゴリズムを用いたRTPウェーハ内の空孔-酸素複合体の安定原子構造探索

〇岩城浩也^1,2、別宮響¹、須藤治生²、早川兼²、神山栄治²、末岡浩治³ (1.岡山県大院情報系工、2.グローバルウェーハズ・ジャパン（株）、3.岡山県大情報工)

10:15 〜 10:30

[9a-N302-6]シリコン{311}欠陥内におけるドーパント原子安定性の第一原理解析

〇神山栄治^1,2、永井勇太¹、泉妻宏冶^1,2、末岡浩治² (1.グローバルウェーハズ・ジャパン㈱、2.岡山県立大情報工)

10:45 〜 11:00

[9a-N302-7]CH₂F⁺注入シリコンエピタキシャルウェーハのフッ素拡散挙動

〇廣瀬諒¹、門野武¹、小林弘治¹、永友翔¹、栗田一成¹ (1.株式会社SUMCO)

11:00 〜 11:15

[9a-N302-8]パワーデバイス用CZ-Si結晶のSb蒸発による抵抗制御技術の開発

〇宝来正隆^2,3、鳴嶋康人¹、藤原俊幸²、杉村渉²、下山学²、小野敏昭²、柿本浩一³、西澤伸一³ (1.SUMCO TECHXIV、2.SUMCO、3.九大応力研)

11:15 〜 11:30奨励賞エントリー

[9a-N302-9]CZ-Si結晶成長におけるドーパント蒸発による抵抗率制御

〇八明択実¹、齋藤渉²、西澤伸一² (1.九大総合理工、2.九大応力研)

11:30 〜 11:45

[9a-N302-10]分子動力学によるSi_xGe_1-x結晶の熱伝導度解析

〇柿本浩一¹ (1.東北大金研)

11:45 〜 12:00

[9a-N302-11]結晶と融液の透明度がOCCC法におけるGa₂O₃単結晶成長時の
炉内温度分布に与える影響

〇柿本浩一¹、富田健稔²、Vladimir Kochurikhin²、北原正典²、鎌田圭^1,2、中野智³、姚永昭⁴、赤岩和明⁵、吉川彰^1,2 (1.東北大金研、2.㈱C & A、3.九大　応力研、4.三重大、5.鳥取大)

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