[9a-N305-1~11] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

9:00 〜 9:15

[9a-N305-1] [第58回講演奨励賞受賞記念講演] 低温成長した希薄窒化InGaAsN量子ドットにおける時間分解分光によるスピン偏極増幅ダイナミクスの評価

〇森田 彩乃¹、高山 純一¹、村山 明宏¹、樋浦 諭志¹ (1.北大院情報科学)

キーワード：

量子ドット、希薄窒化物半導体、時間分解分光