[9a-N305-1~11] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

9:45 〜 10:00

[9a-N305-4] InGaAsN中のドナーおよびアクセプタの熱安定性

〇(P)河野 将大¹、玉城 大天¹、小島 信晃¹、大下 祥雄¹ (1.豊田工業大学)

キーワード：

InGaAsN、化学ビームエピタキシー(CBE)