[9a-N305-1~11] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

11:15 〜 11:30

[9a-N305-9] InP/InGaAsラテラルHBT製作に向けた微細空洞内MOVPE選択成長

〇渡辺 翔太¹、宮本 恭幸¹ (1.科学大工)

キーワード：

ヘテロ接合バイポーラトランジスタ、選択成長、MOVPE

誘電体空洞内へ横方向ヘテロ接合構造を成長させることでラテラルHBTを作製することを目標とし，電子ビーム露光法を用いてInP基板上に微細誘電体空洞を形成し，InP/InGaAsヘテロ接合構造を成長させた。空洞内成長起点を微細化することで，空洞内横方向成長が促進された。また，空洞内の横方向InP/InGaAsの位置を明らかにした。