講演情報
[9a-N307-7]g-C3N4/MoS2へテロ接合界面における光誘起表面電位の時間変化
〇鈴木 雄登1、野田 啓1 (1.慶應大理工)
キーワード：
KPFM、光触媒、ヘテロ接合
MoS₂とg-C₃N₄からなるナノ構造ヘテロ接合体は、優れた電荷分離性能により光触媒として注目されているが、界面における局所的かつ時間依存的なキャリア挙動は十分に解明されていない。そこで本研究では、g-C₃N₄薄膜とMoS₂ナノシートを用いたモデル材料系を構築し、KPFMにより光照射停止後の表面電位の時間変化を観測することで、ヘテロ接合界面が光誘起キャリアの再結合に与える影響を考察した。