講演情報
[9a-N324-5][第23回プラズマエレクトロニクス賞受賞記念講演] プロセスプラズマのためのイオン-分子間反応衝突モデル
〇伝宝 一樹1、加藤 大輝1、松隈 正明1 (1.東京エレクトロン テクノロジーソリューションズ)
キーワード：
プラズマ、理論、イオン-分子間衝突断面積
半導体製造装置・プロセスの研究開発に用いるプラズマシミュレーションでは，プラズマ中の現象をより忠実に捉える粒子モデル，例えば，Particle-in-Cell, Monte Carlo Collision (PIC-MCC)法の重要性が増している．しかし，その利用に際しては，特に，イオン-分子間衝突断面積データが不足している．受賞論文では，原子や極性・無極性分子とイオンの衝突断面積を包括的に生成するイオン-分子間衝突モデルDNT+DMを提案した．PIC-MCC法の課題を打破するDNT+DMは既に応用が始まっており，また，シミュレーションに限らず，計測されたイオン衝突断面積の解釈や実験前の検討にも利用し得る．