[9a-N401-1~11] CS.9 6.5 表面物理・真空、7.5 原子・分子線およびビーム関連新技術のコードシェアセッション

11:45 〜 12:00

[9a-N401-11] 超音速窒素分子・一酸化窒素分子ビーム照射によるハフニウム堆積Si(111)表面界面の窒化・酸窒化反応機構

〇垣内 拓大¹、大浦 吉乃¹、高城 陽菜¹、津田 泰孝²、吉越 章隆² (1.愛媛大学理学部、2.原子力研究開発機構)

キーワード：

ハフニウム酸窒化物、X線光電子分光法、超音速分子ビーム

ハフニウムが堆積したSi(111)表面に対し、超音速窒素分子ビーム（SN₂B）および超音速一酸化窒素分子ビーム（SNOB）を照射し、窒化および酸窒化反応機構と表面界面生成物について放射光光電子分光法を用いて明らかにした。SN₂B照射では、解離した窒素原子がHf-Si(111)のSi基板とのみ反応し、電荷移動は伴わず進行した。SNOB照射では、NO分子の照射数に依存して界面の窒素含有率が変化した。